Foto: Onye injinia IVWorks na-ahazi isi iyi plasma maka itinye ya na sistemụ MBE Hybrid nke mmepụta, na-akwado uto epitaxial GaN dị elu na ịdị mma.
Transistor gallium nitride (GaN) nke nwere ike ịgbanwe elektrọn (HEMT) nke nwere teknụzụ reGaN nke nwere ike ịgbanwe agbanwe nke IVWorks Co Ltd nke Daejeon, South Korea, aghọọla transistor GaN mbụ n'ụwa nke nwetara ugboro oscillation kachasị elu (f).kachasị) gafere 700GHz. E gosipụtara nke a site na ngwaọrụ GaN HEMT 45nm nke ndị otu nyocha nke prọfesọ Dae-hyun Kim mepụtara na School of Electronics Engineering na Kyungpook National University ma kpughee ya na 18 June na 2026 IEEE/JSAP Symposium na VLSI Technology & Circuits na Honolulu, Hawaii, USA.
Ndị otu nyocha ahụ mepụtara transistor GaN nke nwere ogologo ọnụ ụzọ ámá 45nm ma nweta ndekọ fkachasịnke 742GHz, na-eguzobe ihe nrịbama ọhụrụ maka arụmọrụ RF na teknụzụ transistor GaN. Ngwaọrụ ahụ nwetakwara ihe nrịbama ugboro ugboro ndekọ (favg) nke 497GHz, uru kachasị elu akọpụtara ruo taa maka teknụzụ transistor GaN ọ bụla. Nsonaazụ ndị a na-egosi na semiconductors GaN nwere asọmpi arụmọrụ zuru oke ọbụlagodi na usoro ugboro ugboro dị elu ma nwee ike ije ozi dị ka ikpo okwu bara uru maka sistemụ eletrọniki sub-terahertz na terahertz n'ọdịnihu, ka IVWorks na-ekwu.
Ọ bụ ezie na transistors indium phosphide (InP) nke dabere na ya anọwo na-achịkwa usoro ugboro ugboro sub-terahertz n'ihi njirimara njem elektrọn pụrụ iche ha, obere voltaji mmebi ha na-egbochi ike mmepụta na nhazi sistemụ. N'ụzọ dị iche, GaN na-enye ngwakọta pụrụ iche nke ubi eletriki mgbawa dị elu, njupụta ike dị elu, na ike okpomọkụ dị mma, na-eme ka ha bụrụ ndị na-adọrọ mmasị maka ngwa ugboro ugboro na ike dị elu nke ọgbọ na-esote. Agbanyeghị, iru arụmọrụ ugboro ugboro dị elu na GaN ka bụ ihe ịma aka dị ukwuu. Iji merie mmachi ndị a, ndị otu nyocha jiri usoro ọnụ ụzọ 45nm dị elu ma hazie usoro ngwaọrụ iji mee ka arụmọrụ ugboro ugboro dị elu dịkwuo elu.
Ihe dị mkpa bụ teknụzụ reGaN nke IVWorks nwere. IVWorks mepụtara ya naanị, reGaN na-etolite GaN nke nwere ụdị n-dị ka ihe e tinyere n'ime mmiri n'ime mpaghara isi iyi na mmiri mmiri, na-ebelata nke ukwuu iguzogide kọntaktị. Dịka onye mmekọ nyocha na ọmụmụ ihe a, IVWorks gosipụtara ihe a na-ekwu na ọ bụ otu usoro dị mma n'ofe wafer 4-inch dum ma nweta mmepụta pụrụ iche. Ọzọkwa, ụlọ ọrụ ahụ belatara iguzogide njikọ regrowth (R)int) ruo 0.027Ω-mm, na-eru nso oke echiche a ga-enweta na ntinye uche nke onye na-ebu ya.
"Nnyocha a na-akwali oke arụmọrụ RF nke GaN HEMTs gaa n'ọkwa ọhụrụ ma na-egosi ike nke GaN semiconductors maka ngwa ugboro ugboro dị elu site na ngosipụta mbụ nke GaN HEMT nke nwere h karịrị 700GHz," ka prọfesọ Dae-hyun Kim na-ekwu. "Ọmụmụ ihe a bara uru karịsịa dị ka ihe atụ na-aga nke ọma nke mmekorita ụlọ ọrụ-agụmakwụkwọ, na-ejikọta uto epitaxial dị elu na teknụzụ regrowth sitere na ụlọ ọrụ na ahụmịhe mahadum na nyocha ngwaọrụ na sekit," ka o kwukwara.
"Site n'ịkwalite ihe a anyị rụzuru, anyị na-eme atụmatụ ime ka mmepe nke ngwaọrụ eletrọnịkị GaN nke ọgbọ na-abịa dịkwuo ngwa terahertz-frequency maka nkwukọrịta 6G na teknụzụ nchekwa dị elu."
IVWorks kwuru na ihe a rụzuru na-egosi ike na-eto eto nke teknụzụ GaN nwere ike ịgbasa karịa RF ọdịnala na ngwa eletrọniki ike gaa na ngwa sub-terahertz na terahertz na-apụta, gụnyere nkwukọrịta 6G, sistemụ radar dị elu, nkwukọrịta satịlaịtị, na ngwa eletrọniki nchekwa ọgbọ na-abịa.
"reGaN bụ teknụzụ bụ isi nke gaferela asambodo mma na nnukwu ụlọ ọrụ mmepụta ihe ma anabatakwa ya maka mmepụta olu," ka onye isi ụlọ ọrụ IVWorks bụ Young-kyun Noh kwuru. "Mmezu a na-egosi na ikpo okwu reGaN nke Hybrid-MBE anyị abụghị naanị dị njikere maka nrụpụta kamakwa ọ bụ teknụzụ dị mkpa maka ọgbọ na-esote nke sub-terahertz na terahertz GaN electronics," ka o kwukwara. "Obi dị anyị ụtọ ịhụ teknụzụ IVWorks ka ọ na-enye aka na nchọpụta kachasị elu n'ụwa."
Oge ozi: Julaị-06-2026